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        分子束外延摻雜束源爐

        • P摻雜束源爐-DECO-D
        • P摻雜束源爐-DECO-D
        P摻雜束源爐-DECO-DP摻雜束源爐-DECO-D

        P摻雜束源爐-DECO-D

        • GaP裂解產生P2
        • 較高的P2產生效率
        • 產品描述:利用分解GaP的辦法獲得相對較純的P2束流,典型工作溫度為:600-700℃,900到1200℃。
        • 在線訂購

        利用分解GaP的辦法獲得相對較純的P2束流,典型工作溫度為:600-700℃。


        產品特點:

        精確摻雜控制;

        GaP分解摻雜;


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